得到规则,简洁的新兴电力半导体产品分析。

半导体工业正在开发使用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),该更小,更有效的,具有较低损耗和较高的击穿电压新功率工艺技术。

这个领域的硅产品已经非常成熟,但我们仍能看到值得注意的创新。这项基于订阅的服务为您提供我们对这些尖端产品的分析。


TechInsights的Power subscription products提供了对新兴的Power半导体产品的深入了解,这些产品正进入大规模生产的大容量应用领域。


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可订购的电力半导体

电源要点

权力要素(PEF)

包括:

  • 年度目标
    • 10个PDF报告与支持图像
  • 分析报道
    • 设备指标和显著特征
    • 包装x光片和模具照片
    • 扫描电镜平面图像和横截面图像
    • 截面TEM图像和材料分析
  • 分析管理
    • 三年度分析师会议
    • 年度专利概况总结
    • 年度研讨会
  • 实时更新
    • 访问正在进行中的项目工作(PEF报告,分析师简报等)发布前

碳化硅(SiC)工艺流程

碳化硅(SiC)工艺流程

包括:

  • 工艺流程分析(PFA)
    • 显示流程架构、掩码列表和集成级流程步骤的报告(目标:每年4个)
  • 流程流完全仿真(PFF)
    • 扩展PFA报告中提供的细节
    • 布局将GDS完全分解为流程层
    • 所提供的PDF报告是使用Synopsys进程浏览器构建的
    • 在Synopsys中操作报告数据(需要Synopsys许可证)
    • 带有支持图像的流程流完整仿真报告(目标:每年4个)
  • 分析师
    • 设计技术交互分析
    • 详细说明了晶圆从进到出的工艺集成
    • 处理步骤,材料,设备类型,单位处理
    • SEM和TEM的横断面和俯视图图像\分层标注,具体流程模块,假设

碳化硅平面(PFR)

碳化硅平面(PFR)

包括:

  • PDF报告
    • 公司简介
    • 执行摘要
    • 设备标识:选择拆卸照片(可选),包装照片,包装x光片,模具照片,包括模具角和粘合垫,延迟的模具照片
    • 过程分析:管芯边缘示出的管芯厚度,晶体管的门阵列的边缘或管芯密封,晶体管的门阵列概要/详细
    • 布局分析:注释delayered模的照片,模具利用率表
    • 成本分析
  • 图片的文件夹
    • 包装及模具图片
    • SEM横截面图像
  • CircuitVision启用顶部金属和门级/板图像
  • 每年15份报告

碳化硅平面(PFR)

氮化镓(GaN)楼层平面图(PFR)

包括:

  • PDF报告
    • 公司简介
    • 执行摘要
    • 设备标识:选择拆卸照片(可选),包装照片,包装x光片,模具照片,包括模具角和粘合垫,延迟的模具照片
    • 过程分析:管芯边缘示出的管芯厚度,晶体管的门阵列的边缘或管芯密封,晶体管的门阵列概要/详细
    • 布局分析:注释delayered模的照片,模具利用率表
    • 成本分析
  • 图片的文件夹
    • 包装及模具图片
    • SEM横截面图像
  • CircuitVision启用顶部金属和门级/板图像
  • 每年15份报告

定制服务

可提供定制服务

  • 产品拆解
    • 电力电子产品的拆卸分析
  • 权力流程流
    • 处理流程仿真(处理步骤,工具类型,材料)
    • 工作范围涉及对案件逐案的基础;讨论与我们的自定义选项
  • 方案分析
    • 详细包装分析,横断面包装分析,SEM成像,SEM- eds材料分析
  • 电气特性
    • 传输特性(IDVG),输出特性(IDVD), RDSON,击穿电压
  • 选择性区域电子衍射
    • 基于GaN的外延层的基于TEM-SAED


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