得到规则，简洁的新兴电力半导体产品分析。
半导体工业正在开发使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），该更小，更有效的，具有较低损耗和较高的击穿电压新功率工艺技术。
这个领域的硅产品已经非常成熟，但我们仍能看到值得注意的创新。这项基于订阅的服务为您提供我们对这些尖端产品的分析。
可订购的电力半导体
权力要素(PEF)
包括:
- 年度目标
- 10个PDF报告与支持图像
- 分析报道
- 设备指标和显著特征
- 包装x光片和模具照片
- 扫描电镜平面图像和横截面图像
- 截面TEM图像和材料分析
- 分析管理
- 三年度分析师会议
- 年度专利概况总结
- 年度研讨会
- 实时更新
- 访问正在进行中的项目工作（PEF报告，分析师简报等）发布前
碳化硅(SiC)工艺流程
包括:
- 工艺流程分析(PFA)
- 显示流程架构、掩码列表和集成级流程步骤的报告(目标:每年4个)
- 流程流完全仿真(PFF)
- 扩展PFA报告中提供的细节
- 布局将GDS完全分解为流程层
- 所提供的PDF报告是使用Synopsys进程浏览器构建的
- 在Synopsys中操作报告数据(需要Synopsys许可证)
- 带有支持图像的流程流完整仿真报告(目标:每年4个)
- 分析师
- 设计技术交互分析
- 详细说明了晶圆从进到出的工艺集成
- 处理步骤，材料，设备类型，单位处理
- SEM和TEM的横断面和俯视图图像\分层标注，具体流程模块，假设
碳化硅平面(PFR)
包括:
- PDF报告
- 公司简介
- 执行摘要
- 设备标识:选择拆卸照片(可选)，包装照片，包装x光片，模具照片，包括模具角和粘合垫，延迟的模具照片
- 过程分析：管芯边缘示出的管芯厚度，晶体管的门阵列的边缘或管芯密封，晶体管的门阵列概要/详细
- 布局分析：注释delayered模的照片，模具利用率表
- 成本分析
- 图片的文件夹
- 包装及模具图片
- SEM横截面图像
- CircuitVision启用顶部金属和门级/板图像
- 每年15份报告
氮化镓（GaN）楼层平面图（PFR）
包括:
- PDF报告
- 公司简介
- 执行摘要
- 设备标识:选择拆卸照片(可选)，包装照片，包装x光片，模具照片，包括模具角和粘合垫，延迟的模具照片
- 过程分析：管芯边缘示出的管芯厚度，晶体管的门阵列的边缘或管芯密封，晶体管的门阵列概要/详细
- 布局分析：注释delayered模的照片，模具利用率表
- 成本分析
- 图片的文件夹
- 包装及模具图片
- SEM横截面图像
- CircuitVision启用顶部金属和门级/板图像
- 每年15份报告
可提供定制服务
- 产品拆解
- 电力电子产品的拆卸分析
- 权力流程流
- 处理流程仿真（处理步骤，工具类型，材料）
- 工作范围涉及对案件逐案的基础;讨论与我们的自定义选项
- 方案分析
- 详细包装分析，横断面包装分析，SEM成像，SEM- eds材料分析
- 电气特性
- 传输特性(IDVG)，输出特性(IDVD)， RDSON，击穿电压
- 选择性区域电子衍射
- 基于GaN的外延层的基于TEM-SAED
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