联想带来了新的Snapdragon产品上市

发布时间:2019年2月20日
合着者:斯泰西韦格纳和丹尼尔·扬

联想Z5临GT

联想Z5临GT

从1数到22万需要多长时间?或许超过32秒,但据报道,联想期待已久的220,000款联想Z5 Pro GT旗舰手机要用32秒才能售罄。幸运的是,我们自己也有一些好运。我们能够得到我们自己的Z5 Pro GT,我们可能会让那些试图购买它的人心碎,因为我们继续做我们的手机,我们把它拆了。

联想旗舰店设计新的Snapdragon平台855的缺口少,6.39” 滑盖手机上有四个摄像头 - 其中两个传言包括索尼图像传感器。纵观规格为Z5临GT表明它是不是能够5G,但联想表示他们会发布随访Z5手机是5G能够在今年晚些时候。

图1联想Z5临GT主板

图1联想Z5临GT主板

那么,究竟这个新的Snapdragon处理器,855?高通去年宣布处理器在夏威夷他们只邀请,Snapdragon的事件,他们也表现出了5G网络,像AT&T和Verizon本发明的载体。但是,像我们上面提到的,该第一联想Z5临GT是不能够5G,这意味着联想可以从新的处理器利用其它高级功能。

LPDDR4x - 新一代已经到来

下面是三星的64Gb(8GB)LPDDR4X SDRAM K3UH7H70AM-的AgCl模具照片。我们已经证实,它有三星的第二代10纳米级(1Y)LPDDR4X模具。

其他设计优胜者

在我们一睹新Snapdragon的真名之前,这里是其他获奖设计的快速列表:

图2三星1Y纳米LPDDR4x模

图2三星1Y纳米LPDDR4x模

图3三星模划痕

图3三星模划痕

LPDDR4x - 新一代已经到来

下面是三星的64Gb(8GB)LPDDR4X SDRAM K3UH7H70AM-的AgCl模具照片。我们已经证实,它有三星的第二代10纳米级(1Y)LPDDR4X模具。

图4闪存:东芝THGAF8T1T83BAIR

图4闪存:东芝THGAF8T1T83BAIR

闪存

东芝THGAF8T1T83BAIR, 256GB UFS 2.1,配有东芝64 l 3D NAND闪存模。

图5的高通WCN3998

图5的高通WCN3998

的Wi-Fi / BT

令我们惊讶的是,我们发现高通WCN3998 Wi-Fi 6 (802.11ax)和蓝牙5.0无线组合IC,据高通称,该芯片还支持数字FM。

图6 NXP Q3304

图6 NXP Q3304

NFC控制器

NXP赢得NFC套接字。

图7的高通SDR8150

图7的高通SDR8150

RF收发器

所述RF收发器与所述的Snapdragon X24 LTE调制解调器配对是高通公司SDR8150。它很可能fabbed 14纳米鳍式场效应晶体管,这是我们目前所看到的最先进的节点蜂窝收发器。

图8高通QET5100

图8高通QET5100

包络跟踪IC

联想Z5临GT还拥有一个全新的高通QET5100,从高通新的包络跟踪器IC。

图9三星K3UH7H70AM-AGCL,8 GB LPDDR4X

图9三星K3UH7H70AM-AGCL,8 GB LPDDR4X

高通Snapdragon 855

联想Z5临GT是全球首款量产的智能手机将采用高通公司的Snapdragon 855移动平台。一个有趣的问题:通常是三星Galaxy S系列智能手机旗舰产品是第一个向市场推出新的高通Snapdragon平台,尤其是在发布了针对美国市场的手机。

高通SM8150处理器对所封装上封装(PoP)的底部发现组件,其由新的三星8 GB LPDDR4x DRAM K3UH7H70AM-AGCL的顶部,而高通Snapdragon 855 SM8150在底部。

图10高通Snapdragon SM8150处理器 - 顶

图10高通Snapdragon SM8150处理器 - 顶

以下是Snapdragon的855 AP的封装标识。它显示SM8150。

图11高通公司SM8150管芯照片

图11高通公司SM8150管芯照片

非常感谢我们的实验室COL-SM-12 COL-lgleagues的快速周转,并把我们的芯片信息和AP /调制解调器的芯片照片死HG11-PC761-2。芯片尺寸(密封)8.48毫米×8.64毫米=73.27平方毫米,上相比三星10LPP fabbed Snapdragon的845模具HG11-P7872-2当TSMC 7FF fabbed裸片表示17.9%模具收缩。

以前的Snapdragon 845,835和820处理器都分别建立在三星10LPP的FinFET(FF),10LPE FF和14LPP FF工艺技术。然而,今年的Snapdragon 855不被三星fabbed,而是由台积电7FF(7纳米)工艺。

音频IC

音频胜利都去了Cirrus逻辑与他们的CS47L35音频编解码器和CS35L41B音频放大器。

电源管理集成电路

在我们乍看之下,有三个高通电源管理IC:PM8150,PM8150A和PM8150B。

射频前端模块

我们发现一个Qorvo QM77031和QM77033。可能有更多的胜利为Qorvo因为我们通过拆解进步。

怎么样的价格?

Before we get ready to eagerly watch the Samsung Unpacked event and lay our eyes on the Samsung Galaxy S10, Galaxy S10 Plus, and whatever else Samsung has in store for the world, we chatted with our costing manager Al Cowsky to talk about a ‘What-if’ scenario for the SM8150 in regard to the pricing impact of going to a smaller process node on the SM8150.

作为我们标准程序的一部分,我们已经计算了SM8150的引脚,测量了它的包装尺寸,甚至测量了它的模具面积。通过这些测量,我们估计了使用不同FinFET技术的处理器的价格:

流程节点 预计售价
确认 为7nm 73.18美元
如果 10纳米 $ 116.23
如果 为14nm $ 133.94

这些估计假设模具尺寸的10与比例封装尺寸的增加而线性级数和14nm以下。

展望未来

我们已经开始了Snapdragon的855我们的基本平面图分析和TechInsights的将推出高通Snapdragon 855 AP /调制解调器芯片的数字平面分析报告。为了进行分析,请联系我们,或登录到TechInsights的应用帐户的详细信息,以跟上最新的报告的进展。

TechInsights预计,高通骁龙855将成为今年全球领先的旗舰智能手机的流行平台,尤其是在即将到来的2019年世界移动通信大会上发布的许多手机上。TechInsights的Stacy Wegner和Daniel Yang今年将再次参加2019世界移动大会,所以请关注我们的博客和推特。

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