TechInsights证实了三星Exynos 990中真正的7LPP流程

去年,三星宣布推出极紫外到中的Exynos 9825.用于通过部分的分析,他们7LPP过程中,我们在9820的Exynos 9825的和他们8LPP过程中发现自己的7LPP过程之间的差别不大。

现在,我们激动地说,我们在Exynos 990中发现了三星真正的7LPP工艺,包括在他们的旗舰Galaxy S20中。正如我们预期的那样,这一7nm EUV工艺提供了三星迄今为止观察到的最高密度布局。

三星S20董事会

采用27nm的鳍节距,这一颠覆性创新使得NMOS和PMOS晶体管的3/3翅片布局可以使标准电池高度达到270nm,同时保持高驱动电流。

三星的Exynos 990

这表明,与TSMC的N7 7.5T 3/3-翅片布局(300nm标准单元高度)和6T 2-翅片布局(240nm标准单元高度)相比,EUV光刻实现的密度有所提高。

英特尔10nm工艺也有类似的272nm标准电池高度,但实现这一点的是2/3的鳍片布局。除了音高缩放,在一个令人惊讶的实现,三星引入了一个SA-DB(自对齐扩散断路),这可能减少由PMOS晶体管的局部布局效应(LLE)引起的性能变化。这是我们第一次在这个装置中发现。我们也开始了骁龙765G的工作,它是由同样的三星7LPP Exynos 990,它有新的功能,243nm标准电池高度2/2鳍布局和54nm门间距。它应可与台积电N7或N7P 2/2翅片布局高密度电池相媲美。

三星的Exynos 990

TechInsights将更仔细地研究这些部分;到目前为止,我们计划进行如下分析:

产品名称 产品代码 订阅/通道
三星Exynos 990数字功能分析报告 dfr - 2003 - 801 逻辑-数字平面图
三星Exynos 990 aCMOS必需品包 ace - 2003 - 801 逻辑-流程
高通骁龙765G数字平面图分析报告 dfr - 2002 - 802 逻辑-数字平面图

三星Exynos 9907nm EUV工艺分析

了解更多关于三星Exynos 990的真正7LPP过程和分析,我们已经在进行中

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