YMTC是中国第一家大规模生产3D NAND闪存芯片的公司

供稿作者:Jeongdong Choe

最初发布于3月12日,2020年4月7日修订

TechInsights最终在中国武汉找到了扬子记忆体科技有限公司(YMTC)生产的3D Xtacking®NAND设备。凭借该设备,YMTC成为中国第一家大规模生产3D NAND闪存芯片的公司。

这款64L 3D NAND闪存设备代表了中国政府支持的对尖端存储芯片的投资所产生的首个主要有竞争力的半导体产品。毫无疑问,这将扰乱52 十亿美元三星NAND内存市场及其各自的市场领导者,Kioxia,西部数据,微米,英特尔,SK海力士。

YMTC的64L 3D NAND设备是一个颠覆者,不仅因为它是由一个重要的新进入者提供的,还因为它的Xtacking架构。

TechInsights对UNIC内存安全S1-C 64gb USB中的YMTC 3D 64L Xtacking TLC NAND设备进行的早期分析显示,一个垂直NAND串共有73个门,带有9个垂直通道(VC)孔,其中包括在公共源线触点之间的一个虚拟孔。很可能还使用了4个选择门(1个GST和3个sst)和5个假门。

由于Xtacking架构,外围电路和存储单元操作在单独的晶片上处理,阵列效率和存储位密度大大高于传统的3D NAND,如三星64L V-NAND和KIOXIA/WD 64L BiCS NAND。例如YMTC 64L 256gb的模位密度为4.41 Gb/mm2哪个比三星64L 256gb的模(3.42 Gb/mm2),并且与美光/英特尔64L CUA FG 256千兆TLC模具(4.40 GB /毫米2关于YMTC 64L示出了90%以上的管芯)的NAND存储器阵列的效率。

我们证实了它们与Xtacking逻辑和存储器阵列中的两个不同的模具分开,这意味着每一个管芯具有其自己独特的模具的标记。

由于YMTC Xtacking使用了晶圆到晶圆的键合技术,NAND阵列在外围电路上是倒置的。流程集成包括(1)金属1到4,对外围电路晶片,(2)与非数组和一个源板(SP)和金属1通过金属3的一个单独的晶片,(3)连接M4和金属薄片焊接3 ',通过和金属5(4)通过SP。这里,Metal 1 '是用于BL的。NAND阵列模基片与外围电路模相比非常薄,这是由于混合键合后的细化过程。

与KIOXIA/WDC BiCS 64L 3D NAND相比,NAND阵列由相同数量的总门组成。该设备的位线半螺距为20纳米,这意味着他们使用了双重图案技术(DPT),可能与自对齐双图案(SADP)。他们不使用任何类型的金属带连接位线与NAND通道,这是不同于三星的64L V-NAND阵列结构。阵列上还采用了顶选门(TSG)切割工艺。

我们在YMTC 64L 3D NAND集成中发现了一些独特且非常创新的技术,如通过硅源板的TSC(通过硅通)或TSV(通过硅通),用于存储核互连的TAC(通过阵列接触),以及cu - cu混合键合技术。

TechInsights对此进行了大量分析。到目前为止,我们计划进行如下分析:

  • 平面图 -金属和多晶硅平面图像死去,SEM X-section,过程证明,平面布置图分析和利用包括块大小和功能死去,死亡和包装成本
  • 外围设计 ——计划视图SEM图像设置目标块的层次结构图
  • 结构和材料 - SEM平面和X-sections, TEM EDS和鳗鱼,SCM,西姆斯和其他先进技术的结构和材料分析
  • 工艺流程 ——流程步骤和先进半导体技术的三维模拟。
  • 电路逆向工程狗万体育网站-层次结构图展示设计从块到门水平-所有链接到原来的布局,显示提取的门和相关的互连。

当我们进一步分析该产品时,TechInsights内存订阅用户可以查看我们正在进行的工作,并可以在他们发布时访问完整的报告。

如果您对TechInsights对YMTC 64L 3D NAND的分析感兴趣,可以下载我们的产品简介,其中包括我们分析的概述、设备的图像以及对Xtacking架构的讨论。

YMTC 3D 64L Xtacking TLC NAND简要分析

下载TechInsights关于YMTC 3D 64层Xtacking TLC NAND的简介,包括对这种破坏性设备的讨论、初步图像、对Xtacking架构的检查,以及我们计划对这一部分进行的分析的细节。

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