到2023年,全球数码存储设备市场预计将达到$ 1410亿美元,通过数字服务所处理的数据的不断增加的量饲喂。这个市场包括用于存储,交换驱动器,和检索数据,诸如磁驱动器,光盘驱动器,固态驱动器,当然闪存驱动器。

市场驱动因素可以简单地说,但不能简单地解决:我们想存储更多的数据,更可靠,更高效,并且在空间较小的量。这些看似矛盾的需求将继续推动创新数字储存,最近的三维NAND存储产品在9X层范围,例如。

继续关注3D NAND空间,我们已经发现或期待发现的最新产品是:三星92L 3D NAND,东芝96L 3D NAND, Micron 96L, YMTC 32L 3D NAND, SK hynix 4D (PUC) 96L NAND。甚至产品描述也暗示了存储设备市场的行业领导者所采取的广泛方法。制造商正在创建使用不同层数、不同节点大小、不同粘合和包装技术的解决方案——增量修改的组合,以帮助他们赢得下一个产品的竞争。

随着DRAM市场依然红火,各大DRAM的球员,如三星,SK海力士,美光和南亚渴望开发和发布他们的下一个新的成功,按比例缩小的一代。顶部3的DRAM制造商已经跳入亚20nm技术节点,通过在2017年和2018年,像三星的1X和1Y LPDDR4X,DDR4和1X GDDR6为组件,移动和图形卡应用引入产品,如1X纳米。DRAM按比例缩小将继续在几年内。

在新兴的内存技术方面,我们将继续关注一些技术及其主要开发者,包括:

  • MRAM,STT-MRAM(面内MTJ,对MTJ):EverSpin的,番红花,雪崩技术,索尼,TSMC,三星,美光等
  • PCRAM (XPoint):美光、三星、英特尔、IBM等。
  • ram (OxRAM, CBRAM/M-ReRAM): Crossbar,松下,Adesto, SK hynix, TSMC等。
  • FeRAM: Cypress, Rohm Semiconductor, Celis, Kentron等。

在研发方面,厂商也在致力于下一代技术,即256层和512层。“这是一种竞赛,”TechInsights的分析师Jeongdong Choe说。“这是一场堆叠最多的比赛。”
-半导体工程

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