见工艺技术和性能的全貌

我们的报告解释了技术在电子电路、软件和制造过程中的应用。它们被用来获取有关技术创新的情报,发现使用的证据,向技术、法律和专利专业人员证明专利的价值。

我们的晶体管和表征分析,您可以:

  • 见工艺技术和性能的全貌
  • 了解过程中,看到的表现,发现趋势
  • 为IOFF与ION和IOFF对ID,LIN通用曲线;对于每个通用曲线数据点传送和输出特性

晶体管特性

晶体管特性

TechInsights的晶体管特性报告提供分析上的逻辑NMOS和PMOS晶体管的DC电性能

该报告包括在-20、25和80℃测量的关键性能基准的图表和表格测量。还可提供25℃单次温度报告。

具体的直流分析基准的NMOS和PMOS晶体管包括:

  • 线性(VT,LIN)和饱和(VT,SAT)阈值电压
  • 驱动电流(ID、坐)
  • 断态电流(IOFF)和栅漏电流(IG)
  • 亚阈值摆幅(S)
  • 跨导(通用)
  • 电压击穿现象(VPT)
  • 过程增益因​​子(k)的
  • IDS与VGS图形
  • IDS与VDS图

支持数据包括:

  • 包装图片和包装透视
  • 模具照片和模具标记
  • 所测量的NMOS和PMOS晶体管的SEM图像地形
  • 示出了NMOS和PMOS的栅极长度TEM横截面图像

网络研讨会:分析NAND闪存和SSD设备的技术-内部探测,波形分析,和更多

该演讲探讨了一些创新的NAND闪存和SSD设备的领域,并提供了我们应用来分析这些创新的各种测试方法的概述。


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