见工艺技术和性能的全貌
我们的报告解释了技术在电子电路、软件和制造过程中的应用。它们被用来获取有关技术创新的情报，发现使用的证据，向技术、法律和专利专业人员证明专利的价值。
我们的晶体管和表征分析，您可以：
- 见工艺技术和性能的全貌
- 了解过程中，看到的表现，发现趋势
- 为IOFF与ION和IOFF对ID，LIN通用曲线;对于每个通用曲线数据点传送和输出特性
TechInsights的晶体管特性报告提供分析上的逻辑NMOS和PMOS晶体管的DC电性能
该报告包括在-20、25和80℃测量的关键性能基准的图表和表格测量。还可提供25℃单次温度报告。
具体的直流分析基准的NMOS和PMOS晶体管包括:
- 线性(VT,LIN)和饱和(VT,SAT)阈值电压
- 驱动电流(ID、坐)
- 断态电流(IOFF)和栅漏电流(IG)
- 亚阈值摆幅（S）
- 跨导(通用)
- 电压击穿现象(VPT)
- 过程增益因子（k）的
- IDS与VGS图形
- IDS与VDS图
支持数据包括:
- 包装图片和包装透视
- 模具照片和模具标记
- 所测量的NMOS和PMOS晶体管的SEM图像地形
- 示出了NMOS和PMOS的栅极长度TEM横截面图像
网络研讨会:分析NAND闪存和SSD设备的技术-内部探测，波形分析，和更多
该演讲探讨了一些创新的NAND闪存和SSD设备的领域，并提供了我们应用来分析这些创新的各种测试方法的概述。
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