网络研讨会:商用逻辑器件的ALD/ALE流程

商用逻辑器件中的ALD/ALE过程

2018年,新一代逻辑产品的推出,采用了以英特尔(Intel)10nm微处理器为主导的finFET晶体管,随后,台积电(TSMC)和三星(Samsung)将于今年年底推出7纳米节点设备。

这个关于原子层配置/原子层刻蚀(ALD/ALE)过程的演示文稿检查了我们在这些逻辑技术发展过程中看到的一些不同结构,特别是最新的7 nm和10 nm器件。我们还讨论了在逆向工程中观察到的ALD/ALE技术的一些历史应用,并强调了ALD/ALE工艺在先进逻辑器件中的重要性。在许多情况下,没有ALD/ALE的实施,这项技术就不可能进步。狗万体育网站

拉杰什克里希纳穆尔蒂

拉杰什克里希纳穆尔蒂

高级分析师

拉杰什克里希纳穆尔蒂是TechInsights的,基于加拿大渥太华,反向工程公司的高级分析师。狗万体育网站TechInsights的分析范围广泛的设备,让拉杰什的什么技术制作成半导体生产的现实世界中一个独特的概貌。

拉杰什于1998年毕业,博士学位,材料工程,从西安大略大学,伦敦,在加拿大。拉杰什有超过20年的工作作为一个分析师经验,专注于半导体工艺的发展,半导体材料和装置的R&d。他于2006年加入TechInsights的团队。

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将于2020年8月26日星期三在…

网络研讨会
  • 11点太平洋
  • 中午12点中央
  • 下午1点山
  • 下午2点东

商业逻辑器件的ALD/ALE过程网络研讨会

这次网络研讨会将于2020年8月26日举行

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