按需网络研讨会:电源设备生态系统与IP景观的氮化镓综述

周三2020可27 /下午2:00ET
主办单位:Sinjin迪克森沃伦

电力电子行业正处于一个过渡时期。多年硅基器件为主的产业,与正被用于较低功率和中频传统硅MOSFET晶体管,具有超结被用于更高的频率和更高的电压(SJ)MOSFET器件,并且被用于高功率IGBT和较低的频率。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是已经在市场上出现了旨在取代这些硅技术在过去十年中较新的,宽带隙(WBG)技术。氮化镓,碳化硅和SJ MOSFET技术的直接争夺650个V器件,目前尚不清楚哪种技术最终将主宰市场,在这个中间电压电平。

在GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的概念在APA光学在明尼阿波利斯,MN,1991年第一专利US5192987A下。US 5192987 A是一种装置(或机器)专利。APA光学还申请了第二方法(或处理)专利US5296395A,其描述的GaN HEMT器件的制造。然后,这些专利被重新分配给英飞凌。现在这两个专利已经过期,因此概念是在公共领域。通过逆向工程和专狗万体育网站利分析,我们已经确定了APA光学专利US5192987A的权利要求要素在几个产品,包括,例如,从氮化镓系统,纳维,英飞凌,松下,高效的电源转换,安森美,Transphorm和德州仪器。

这个研讨会将回顾650 V 功率MOSFET 生态系统和IP 景观。我们将讨论光的技术  早期  开创性GaN HEMT专利,演示如何显示逆向工程创新。 狗万体育网站

讨论将包括:

  • 动机的逆向工程狗万体育网站
  • 氮化镓功率景观
  • 氮化镓如何适应在Si和SiC功率器件市场
  • 早期的GaN IP
  • 狗万体育网站逆向工程结果
  • 在早期的GaN IP的光RE结果分析

周三2020年5月27日

下午2:00ET

持续时间1小时

有关主机

专家谁将进行本次网络研讨会

Sinjin迪克森沃伦

Sinjin迪克森沃伦

高级流程分析师

Sinjin迪克森-Warren是与半导体分析超过20年的经验TechInsights的高级工艺分析师,是电力电子技术分析的主题专家(SME)。他拥有多伦多大学化学物理博士学位;他的一些特色包括半导体物理和设备,材料科学和表面分析化学。

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